聊城大學張丙元教授團隊：基于puSL的室溫下高性能3D螺旋微柱腔結(jié)構(gòu)太赫茲探測器
時間：2023-06-14 11:08 來源： PuSL摩方高精密3D打印 作者：admin 閱讀：次
太赫茲波通信具有廣頻資源、高數(shù)據(jù)傳輸能力、高干擾/攔截抗擾能力，是未來高速信息社會發(fā)展的關(guān)鍵。6G技術(shù)主要包括通信、傳感、物聯(lián)網(wǎng)、無損檢測和成像等主要領(lǐng)域。這些應(yīng)用對太赫茲波檢測技術(shù)的靈敏度和面積提出了更高的要求。如何在室溫下實現(xiàn)對低功率密度太赫茲信號的高靈敏度響應(yīng)一直是該領(lǐng)域的前沿研究熱點之一，具有重要的經(jīng)濟和社會意義。此外，器件加工過程的成本及可以大規(guī)模生產(chǎn)等問題也迫切需要解決。
近期，聊城大學的張丙元教授團隊聯(lián)合中電科15所周宇高級工程師、深圳大學張敏教授和深圳技術(shù)大學董波教授設(shè)計了一種新型亞波長的3D螺旋微柱腔結(jié)構(gòu)陣列覆蓋外爾半金屬薄膜的太赫茲波探測器。該團隊利用新型微立體光刻技術(shù)(nanoArch S130，摩方精密) 實現(xiàn)了微結(jié)構(gòu)陣列的低成本高精度制備，并利用磁控濺射方法獲得了外爾半金屬薄膜，最終獲得具有高靈敏度、低等效噪聲功率和有效探測面積大的太赫茲波探測器。該制備方法成功解決了大面積的太赫茲探測器中探測性能不高問題，此外提出了一種可用于6G波段的大規(guī)模低成本三維微腔結(jié)構(gòu)陣列制備的技術(shù)方案。利用該方法制成的太赫茲波探測器，在室溫下實現(xiàn)了探測靈敏度為7.9 A·W-1，等效噪聲功率0.9 pW·Hz-1/2 @ 0.1 THz的探測性能。在毫米級大面積探測器中效果較為理想。相關(guān)成果以“High sensitivity multiple micro-cavity enhanced 3D printed micro-stud array ultrafast response detector at 6G frequency”為題發(fā)表在《IEEE SENSORS JOURNAL》期刊上。論文第一作者是聊城大學物理科學與信息工程學院宋琦副教授。
本文提出了一種基于亞波長微結(jié)構(gòu)、三維微腔和外爾半金屬薄膜的6G探測器。利用微柱陣列的局域表面等離子體效應(yīng)增強光與物質(zhì)的相互作用。此外，三維結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的微腔增強了入射太赫茲場與材料相互作用。利用面投影微立體光刻3D打印技術(shù)結(jié)合薄膜磁控濺射，使該太赫茲檢測技術(shù)解決方案可重復(fù)、低成本、加工簡單，具有工業(yè)生產(chǎn)前景，促進了6G技術(shù)的發(fā)展。
該研究中，3D打印制造螺旋微柱陣列過程及記憶外爾半金屬層相關(guān)表征如圖1所示。器件的加工包含兩個主要步驟：(i)3D打印的螺旋微柱腔結(jié)構(gòu)陣列，針對0.1 THz的入射頻率設(shè)計了合適的亞波長結(jié)構(gòu)，引入局域表面等離子體效應(yīng)（LSP）增強入射太赫茲波與器件之間的相互作用; (ii)在制備好的器件上利用磁控濺射方法制備外爾半金屬MoTe2層(SEM切面表征厚度為2.13 μm)。團隊成員使用面投影微立體光刻技術(shù)(nanoArch S130, 摩方精密)完成器件的制備。實驗搭建了微電流測試的鎢鋼探針平臺來測試由太赫茲波入射而產(chǎn)生的亮暗電流變化，從而得到器件的探測性能。
從圖2中可知，RA、NEP和D*在0.1 THz時不同電壓下的探測效果。螺旋微柱腔結(jié)構(gòu)陣列的探測靈敏度RA為7.9 A·W-1，與MoTe2薄膜相比，有2倍以上的增強效果。在25 V的電壓下，微腔陣列和無結(jié)構(gòu)的MoTe2薄膜的NEP分別為0.9 pW·Hz-1/2和8.9pW·Hz-1/2，此時，微腔的優(yōu)勢非常明顯。器件的NEP僅為Golay Cell的1/175 (140 pW·Hz-1/2)。D*達到3×1010 cm·Hz1/2·W-1可以與商用的Bolometer比擬(1.9×1010 cm·Hz1/2W−1)[31]。綜上，結(jié)合3D打印螺旋微柱腔結(jié)構(gòu)陣列的穩(wěn)定性、易加工性、低成本、大規(guī)模生產(chǎn)前景和可重復(fù)性，面投影微立體光刻3D打印技術(shù)為推進6G技術(shù)發(fā)展具有一定價值。為了進一步說明器件的光響應(yīng)性能。我們還設(shè)計了激光主動調(diào)制實驗。
器件的主動光調(diào)制結(jié)果如圖3所示，由螺旋微柱腔結(jié)構(gòu)陣列引入的LSP和微腔增強兩部分優(yōu)勢，獲得到的主動調(diào)制深度為55%，是薄膜的4倍。光調(diào)制結(jié)果更進一步驗證了，亞波長三維微腔陣列可以顯著增強太赫茲波與器件之間的相互作用，是一種有效的可用于6G技術(shù)的太赫茲波器件的設(shè)計方案。
原文鏈接：
https://doi.org/10.1109/JSEN.2023.3278690
近期，聊城大學的張丙元教授團隊聯(lián)合中電科15所周宇高級工程師、深圳大學張敏教授和深圳技術(shù)大學董波教授設(shè)計了一種新型亞波長的3D螺旋微柱腔結(jié)構(gòu)陣列覆蓋外爾半金屬薄膜的太赫茲波探測器。該團隊利用新型微立體光刻技術(shù)(nanoArch S130，摩方精密) 實現(xiàn)了微結(jié)構(gòu)陣列的低成本高精度制備，并利用磁控濺射方法獲得了外爾半金屬薄膜，最終獲得具有高靈敏度、低等效噪聲功率和有效探測面積大的太赫茲波探測器。該制備方法成功解決了大面積的太赫茲探測器中探測性能不高問題，此外提出了一種可用于6G波段的大規(guī)模低成本三維微腔結(jié)構(gòu)陣列制備的技術(shù)方案。利用該方法制成的太赫茲波探測器，在室溫下實現(xiàn)了探測靈敏度為7.9 A·W-1，等效噪聲功率0.9 pW·Hz-1/2 @ 0.1 THz的探測性能。在毫米級大面積探測器中效果較為理想。相關(guān)成果以“High sensitivity multiple micro-cavity enhanced 3D printed micro-stud array ultrafast response detector at 6G frequency”為題發(fā)表在《IEEE SENSORS JOURNAL》期刊上。論文第一作者是聊城大學物理科學與信息工程學院宋琦副教授。
圖1 器件的設(shè)計加工及表征。 (a)PμSL 3D打印裝置圖。(b) (c) 器件的側(cè)視圖和俯視圖 (d) MoTe2 薄膜的厚度。(e) (f) MoTe2薄膜的XPS 譜。
本文提出了一種基于亞波長微結(jié)構(gòu)、三維微腔和外爾半金屬薄膜的6G探測器。利用微柱陣列的局域表面等離子體效應(yīng)增強光與物質(zhì)的相互作用。此外，三維結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的微腔增強了入射太赫茲場與材料相互作用。利用面投影微立體光刻3D打印技術(shù)結(jié)合薄膜磁控濺射，使該太赫茲檢測技術(shù)解決方案可重復(fù)、低成本、加工簡單，具有工業(yè)生產(chǎn)前景，促進了6G技術(shù)的發(fā)展。
該研究中，3D打印制造螺旋微柱陣列過程及記憶外爾半金屬層相關(guān)表征如圖1所示。器件的加工包含兩個主要步驟：(i)3D打印的螺旋微柱腔結(jié)構(gòu)陣列，針對0.1 THz的入射頻率設(shè)計了合適的亞波長結(jié)構(gòu)，引入局域表面等離子體效應(yīng)（LSP）增強入射太赫茲波與器件之間的相互作用; (ii)在制備好的器件上利用磁控濺射方法制備外爾半金屬MoTe2層(SEM切面表征厚度為2.13 μm)。團隊成員使用面投影微立體光刻技術(shù)(nanoArch S130, 摩方精密)完成器件的制備。實驗搭建了微電流測試的鎢鋼探針平臺來測試由太赫茲波入射而產(chǎn)生的亮暗電流變化，從而得到器件的探測性能。
圖2器件在0.1THz下的探測性能
從圖2中可知，RA、NEP和D*在0.1 THz時不同電壓下的探測效果。螺旋微柱腔結(jié)構(gòu)陣列的探測靈敏度RA為7.9 A·W-1，與MoTe2薄膜相比，有2倍以上的增強效果。在25 V的電壓下，微腔陣列和無結(jié)構(gòu)的MoTe2薄膜的NEP分別為0.9 pW·Hz-1/2和8.9pW·Hz-1/2，此時，微腔的優(yōu)勢非常明顯。器件的NEP僅為Golay Cell的1/175 (140 pW·Hz-1/2)。D*達到3×1010 cm·Hz1/2·W-1可以與商用的Bolometer比擬(1.9×1010 cm·Hz1/2W−1)[31]。綜上，結(jié)合3D打印螺旋微柱腔結(jié)構(gòu)陣列的穩(wěn)定性、易加工性、低成本、大規(guī)模生產(chǎn)前景和可重復(fù)性，面投影微立體光刻3D打印技術(shù)為推進6G技術(shù)發(fā)展具有一定價值。為了進一步說明器件的光響應(yīng)性能。我們還設(shè)計了激光主動調(diào)制實驗。
圖3器件的主動光調(diào)制結(jié)果。(a)器件在不同入射光功率密度下的太赫茲時域信號。(b) 器件和外爾半金屬薄膜的主動調(diào)制深度。
器件的主動光調(diào)制結(jié)果如圖3所示，由螺旋微柱腔結(jié)構(gòu)陣列引入的LSP和微腔增強兩部分優(yōu)勢，獲得到的主動調(diào)制深度為55%，是薄膜的4倍。光調(diào)制結(jié)果更進一步驗證了，亞波長三維微腔陣列可以顯著增強太赫茲波與器件之間的相互作用，是一種有效的可用于6G技術(shù)的太赫茲波器件的設(shè)計方案。
原文鏈接：
https://doi.org/10.1109/JSEN.2023.3278690
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