圖10 TiC團聚顆粒附近的晶界結構。（a） TKD結果的IPF、KAM、GOS、CSL晶界分布圖，標記1-5顯示在孿晶和基體中；（b） 模擬結果顯示了對應于晶界位置i和ii的SAED模式；（c） 雙變異體在暗視野形態中的分布；SAED圖形分別對應于納米晶的（d）∑3和（e）∑9晶界。

圖11 STEM圖像顯示了316LSS的（a）細長位錯細胞和（b）等軸位錯細胞結構；（c） #5-TiC/316LSS復合材料的孿晶形態和相應的STEM-EDS圖譜，（d）等軸位錯胞結構 ；（e） #23TiC/316LSS復合材料的孿晶形態和相應的STEM-EDS圖譜；（f）等軸位錯胞結構。

圖12 TKD結果分別顯示了（a）#5-TiC/316LSS復合材料和（b）#23-TiC/316LSS復合材料的STEM、BSE、IPF和CSL晶界分布圖。STEM圖像顯示（c）細長的納米晶（d）寬的納米晶（e）復合材料中擴散的9R形態。對應于這些位置的SAED模式提供了具有取向關系的基體、孿晶和9R的晶體學信息。

圖13（a） 9R晶體結構與基體轉變 → 9R→ 成雙的（b） HRTEM圖像顯示ITB通過矩陣變換的Shockley部分滑動遷移 → 9R→ 成雙的。

圖14（a）在LPBF熱循環過程中，TiC納米顆粒誘導孿晶生長與動態再結晶（DRX）相關。沿[101]軸區域（b）HRTEM圖像顯示TiC納米顆粒和基體界面處的不連續扭曲9R；（c） HRTEM圖像分別顯示未轉化的部分完美和不完美的9R結構形成ITB和CTB。

圖15（a） 該示意圖顯示了TiC顆粒對316Lss等軸晶和柱狀晶之間的枝晶比的影響。研究了（b）#0-316LSS和（c）#15tic/316LSS的微觀結構特征，包括枝晶形態、晶粒尺寸、HAGB、LAGB、CSL晶界和KAM；（d）研究了激光功率和掃描速度對復合材料等軸枝晶、柱狀枝晶、聚集態TiC的影響。

圖16 TiC顆粒的聚集、枝晶形態、晶界隨艙口間距的增大而變化，重熔區和熱影響區也隨HAZ的減小而減小。通過SEM和EBSD表征，在（a）#10、（b）#13和（c）#16-TiC/316Lss中列舉了不同填充間距引起的TiC/316Lss的微觀結構演變。

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